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可控硅半導(dǎo)體動(dòng)靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室

價(jià)格
電議

型號(hào)
長(zhǎng)禾

品牌
長(zhǎng)禾半導(dǎo)體

所在地
陜西省 西安市

更新時(shí)間
2024-03-20 09:13:39

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    西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)室(簡(jiǎn)稱長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市高新技術(shù)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū),是一家*從事功率半導(dǎo)體器件測(cè)試服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),是*CNAS 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室,屬于*大功率器件測(cè)試服務(wù)中心。

    長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室擁有*的系統(tǒng)設(shè)備、*的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和完善的服務(wù)體系。實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有的測(cè)試儀器設(shè)備100余臺(tái)套,*測(cè)試人員20余名。我們緊跟國際國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn),以客戶需求為導(dǎo)向,不斷創(chuàng)新服務(wù)項(xiàng)目和檢測(cè)技術(shù),借助便利的服務(wù)網(wǎng)絡(luò),為合作伙伴提供高效的技術(shù)服務(wù)。

    長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室專注于功率半導(dǎo)體器件的動(dòng)、靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)、可靠性檢測(cè)、失效分析、溫循試驗(yàn)、熱阻測(cè)試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位、軍工所、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導(dǎo)體(寬禁帶半導(dǎo)體)應(yīng)用解決方案服務(wù)商。

    長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室秉承創(chuàng)新務(wù)實(shí)的經(jīng)營(yíng)理念,為客戶提供的服務(wù)、完善的解決方案及全方位的技術(shù)支持;同時(shí)注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研所的合作與交流,測(cè)試技術(shù)與服務(wù)水平不斷提升。

    *大功率晶閘管模塊測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

    *大功率MOSFET 模塊測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

    1 功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管 1 漏源間反向擊穿電壓 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3407.1 只測(cè): -3.5kV~3.5kV
    半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3407 只測(cè): -3.5kV~3.5kV
    2 通態(tài)電阻 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3421.1 只測(cè): 0~10k?,,0~1500A
    3 閾值電壓 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3404 只測(cè): -10V~10V
    4 漏極反向電流 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3415.1 只測(cè): -100mA~100mA
    5 柵極漏電流 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3411.1 只測(cè): -100mA~101mA
    6 體二極管壓降 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4011.4 只測(cè): 0A~1500A
    7 跨導(dǎo) 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3475.2 只測(cè): 1ms~1000s
    8 開關(guān)時(shí)間 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3472.2 只測(cè): VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A
    9 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3472 只測(cè): VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A
    10 體二極管反向恢復(fù)時(shí)間 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3473.1 只測(cè): 10ns~2μs
    11 體二極管反向恢復(fù)電荷 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3473.1 只測(cè): 1nC~100μC
    12 柵極電荷 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3471.3 只測(cè): Qg:0.5nC~500nC
    13 單脈沖雪崩能量 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3470.2 只測(cè): L:0.01mH~159.9mH, Ias:0.1A~1500A
    14 柵極串聯(lián)等效電阻 功率MOSFET柵極串聯(lián)等效電阻測(cè)試方法 JESD24-11:1996(R2002) 只測(cè): 0.1Ω~50Ω
    15 穩(wěn)態(tài)熱阻 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3161.1 只測(cè): Ph:0.1W~250W
    16 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3161 只測(cè): Ph:0.1W~250W
    17 輸入電容 半導(dǎo)體器件 分立器件 8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 只測(cè): -3kV~3kV,0~1MHz
    18 輸出電容 半導(dǎo)體器件 分立器件 8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 只測(cè): -3kV~3kV,0~1MHz
    19 反向傳輸電容 半導(dǎo)體器件 分立器件 8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 只測(cè): -3kV~3kV,0~1MHz
    20 老煉試驗(yàn) 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 1042 只測(cè): 條件A、條件B, Vdsmax:3500V, Tjmax:200℃
    21 溫度,反偏和操作壽命試驗(yàn) JESD22-A108F:2017 只測(cè): HTRB和HTGB試驗(yàn)
    22 間歇功率試驗(yàn) 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 1042 只測(cè): 條件D(間歇功率)
    23 穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn) 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 1042 只測(cè): 條件C(穩(wěn)態(tài)功率)
    2 二極管 1 反向漏電流 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4016.4 只測(cè): 0~100mA
    半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 4016 只測(cè): 0~100mA
    2 反向擊穿電壓 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4021.2 只測(cè): 0~3.5kV
    3 正向壓降 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4011.4 只測(cè): IS:0A~6000A
    半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 4011 只測(cè): IS:0A~6000A
    4 浪涌電流 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 4066 只測(cè): If:0A~9000A
    5 反向恢復(fù)電荷 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3473.1 只測(cè): 1nC~100μC
    反向恢復(fù)時(shí)間 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3473.1 只測(cè): 10ns~2us
    6 二極管反壓變化率 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3476 只測(cè): VR:5V~3300V, IF:1A~1500A
    7 單脈沖雪崩能量 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4064 只測(cè): L:0.01mH~159.9mH, IAS:0.1A~1500A
    穩(wěn)態(tài)熱阻 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3136 只測(cè): Ph:0.1W~80W
    8 電容電荷 半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路 2部分:整流二極管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 只測(cè): -3kV~3kV,0~1MHz
    9 結(jié)電容 半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路 2部分:整流二極管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 只測(cè): -3kV~3kV,0~1MHz

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