2023 年 5 月 10日—智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），推出一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實(shí)現(xiàn)更的能效和更低系統(tǒng)成本。全新產(chǎn)品系列包括有助于提高開關(guān)速度的EliteSiC MOSFET和模塊，以適配越來(lái)越多的800 V電動(dòng)汽車（EV）車載充電器（OBC）和電動(dòng)汽車直流快充、太陽(yáng)能方案以及能源儲(chǔ)存等能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。

該產(chǎn)品組合還包括采用半橋功率集成模塊（PIMs）的EliteSiC M3S器件，具有業(yè)界的低Rds（on），采用標(biāo)準(zhǔn)F2封裝。這些模塊非常適用于工業(yè)應(yīng)用DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率轉(zhuǎn)換階段。它們提供更高的集成度，采用優(yōu)化的直接鍵合銅設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了并聯(lián)開關(guān)之間的平衡電流共享和熱分布。這些PIM旨在提供高功率密度，適用于能源基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車直流快速充電和不間斷電源（UPS）。

安森美高級(jí)副裁兼電源分部經(jīng)理Asif Jakwani說(shuō)：“安森美一代汽車和工業(yè)EliteSiC M3S產(chǎn)品將助力設(shè)計(jì)人員減小其應(yīng)用占位和降低系統(tǒng)散熱要求。這有助于設(shè)計(jì)人員開發(fā)出能效更高、功率密度更大的高功率轉(zhuǎn)換器?！?br />
車規(guī)級(jí)1200 V EliteSiC MOSFET于高達(dá)22 kW的大功率OBC和高壓至低壓的DC-DC轉(zhuǎn)換器。M3S技術(shù)專為高速開關(guān)應(yīng)用而開發(fā)，具有同類產(chǎn)品的開關(guān)損耗品質(zhì)因數(shù)。