價(jià)格
￥666.00
型號(hào)
TH
品牌
青島天正華意電氣
所在地
暫無(wú)
更新時(shí)間
2023-12-22 09:16:58
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京公網(wǎng)安備 11010802023672號(hào)
數(shù)字式超聲波探傷儀產(chǎn)品介紹
青島天正華意電氣設(shè)備用于檢測(cè)電力線路中絕緣子的污穢附著情況，該儀器可一次測(cè)量絕緣子鹽密度和灰密度，簡(jiǎn)化了絕緣子污穢檢測(cè)的流程，非常適合巡檢現(xiàn)場(chǎng)和實(shí)驗(yàn)室使用。電力線路中絕緣子的污穢程度主要通過鹽密度（ESDD）和灰密度的（NSDD）來(lái)表征，該儀器同時(shí)具備測(cè)量鹽密度和灰密度的功能。內(nèi)置了常用溶液體積、絕緣子型號(hào)，方便用戶直接調(diào)用，絕緣子型號(hào)與表面積支持用戶自定義，增加數(shù)據(jù)保存功能，可保存十萬(wàn)組測(cè)試數(shù)據(jù)，本機(jī)查看數(shù)據(jù)，支持U盤導(dǎo)出數(shù)據(jù)，方便用戶在計(jì)算機(jī)上保存，查看。
功能說明儀器構(gòu)成檢測(cè)儀各部分組成各部分功能如下：顯示屏：該顯示屏為觸摸顯示屏，除顯示測(cè)量結(jié)果等數(shù)據(jù)外還可通過觸摸屏輸入?yún)?shù)、操作檢測(cè)、歷史記錄查看等功能。打印機(jī)：以小票形式打印檢測(cè)結(jié)果，需要自行更換打印紙。檢測(cè)口：待檢測(cè)的溶液可通過檢測(cè)口倒入內(nèi)部檢測(cè)容器以便進(jìn)行測(cè)量。排水口：測(cè)量完成后用來(lái)排出被測(cè)溶液，排水前要插入儀器配套的排水管。充電口：使用配套充電器通過充電口給儀器充電。排水鍵：控制儀器排水功能，當(dāng)檢測(cè)結(jié)束后可按下此按鍵將加入檢測(cè)口的溶液通過排水口排出。電源鍵：控制儀器電源，按下儀器開機(jī)。USB口：可插入儀器配套U盤進(jìn)行數(shù)據(jù)導(dǎo)出或程序升級(jí)。
操作說明
在進(jìn)行絕緣子灰密度鹽密度檢測(cè)時(shí)，首先要使用蒸餾水對(duì)絕緣子進(jìn)行清洗，然后使用清洗后的溶液進(jìn)行灰密度鹽密度測(cè)量，測(cè)量完成之后可保存或打印測(cè)試結(jié)果。*使用排水功能將被測(cè)溶液排出并對(duì)儀器的檢測(cè)口進(jìn)行清洗。各項(xiàng)功能的具體操作步驟如下：
配置溶液及擦拭絕緣子配置溶液溶劑用量：標(biāo)準(zhǔn)普通型絕緣子每片用水量為300ml 。但是當(dāng)被測(cè)絕緣子的表面積與普通絕緣子不同時(shí)，可參照下表，根據(jù)絕緣子表面積大小按比例適當(dāng)增減用水量。
絕緣子表面積與鹽密測(cè)量用水量關(guān)系表
絕緣子表面積（cm2）
≤
0
2000～2500
2500～4000
用水量（m
00
請(qǐng)使用燒杯等玻璃容器盛裝溶劑，嚴(yán)禁使用金屬容器。金屬容器會(huì)嚴(yán)重影響測(cè)量結(jié)果。
3.1.2擦拭取樣
絕緣子取樣選擇：普通懸式絕緣子串選取上數(shù)第2片、中間1片、下數(shù)第2片。將三片測(cè)量的結(jié)果求平均值作為測(cè)量結(jié)果。
擦拭方法：?jiǎn)问执魃弦淮涡匀槟z手套，取一片紗巾放在溶劑（蒸餾水）中浸濕。用濕紗巾將單片絕緣子的上下表面擦拭干凈，將污穢物連同紗巾放入水中攪拌溶解。在擦拭絕緣子表面時(shí)不要流失水分。
補(bǔ)充：取樣污穢物的成分分為兩類，一類為可溶解物質(zhì)稱為鹽，另一類為非可溶物質(zhì)稱為灰。鹽溶解于水后成為導(dǎo)電離子，儀器通過離子濃度來(lái)衡量ESDD。灰在水中為懸著物和沉降物，沒有導(dǎo)電性，不影響ESDD測(cè)量結(jié)果。
測(cè)量功能的使用
《便攜式SOE分辨力測(cè)試儀》技術(shù)條件
1-1、電氣參數(shù)
輸出通道數(shù)：16
接點(diǎn)特性：無(wú)極性光電隔離（100V50mA）
觸發(fā)方式：順序觸發(fā)、組群觸發(fā)、脈沖觸發(fā)、逆序觸發(fā)
觸發(fā)間隔：0.1～999.9ms (以0.1mS為單位任意可調(diào)).
精 度：≤3us
工作電源：AC220V
工作溫度：-10～55℃
產(chǎn)品壽命：20萬(wàn)小時(shí)
輸出模擬接點(diǎn)特性:
開路電壓：≥300V（DC）
電流容量：≥100mA
隔離特性：≥1000V（任意通道之間，通道和輸入電源之間)
抵抗磁場(chǎng)和電場(chǎng)干擾能力:
1、抗磁場(chǎng)干擾：（1）阻尼振蕩磁場(chǎng)100A/m，振蕩頻率100KHz和 1MHz。
（2）工頻磁場(chǎng)1000A/m
2、抗電場(chǎng)干擾：（1）電快速瞬變脈沖群電壓：200V~4800V;50ohm負(fù)載：100V~2400V;
（2）阻尼振蕩波：開路輸出電壓250V-6,000V （3）抗浪涌（沖擊）：
開路電壓160V-5000V
短路電流2500A
設(shè)備外型：便攜手提箱
顯 示 器：5.6寸全彩顯示屏
外型尺寸：220*200*300MM
重 量：4KG
因此，在設(shè)計(jì)建造電網(wǎng)系統(tǒng)前，應(yīng)首先測(cè)定外絕緣子表面的污穢程度以確定所在區(qū)域的污穢等級(jí)，據(jù)此選擇合適的外絕緣爬電比距；對(duì)于已經(jīng)投入使用的高壓輸電線路、發(fā)電廠、變電站等場(chǎng)所的外絕緣設(shè)備，應(yīng)當(dāng)保證每年至少檢測(cè)一次其表面污穢程度，以衡量是否可能引起污閃事故，作為判斷外絕緣設(shè)備是否需要清洗或更換的依據(jù)。通過以上途徑，盡量使污閃事故率降低到可接受的程度，*限度降低污閃事故對(duì)國(guó)民經(jīng)濟(jì)的影響。
由于絕緣子表面的污穢包含溶性成分和不溶性成分，其中鹽密度（常用等值鹽密度ESDD衡量）是指絕緣子表面層污穢中的可溶成分與表面積的比值，區(qū)別于灰密度（NSDD）。根據(jù)電網(wǎng)污穢劃分新標(biāo)準(zhǔn)，污穢度中鹽密和灰密之間的關(guān)系在5—10倍分散，相同等值鹽密不同灰密的絕緣子可能處于不同污穢等級(jí)，故污穢等級(jí)的確認(rèn)需要等值鹽密度和灰密度組合才可確定。
我公司根據(jù)電力行業(yè)防治污閃的要求，結(jié)合電網(wǎng)污穢劃分等級(jí)新標(biāo)準(zhǔn)，根據(jù)客戶需求設(shè)計(jì)研發(fā)了TH-3200智能電導(dǎo)鹽密測(cè)試儀，操作簡(jiǎn)單、功能齊全，得到了行業(yè)客戶的一致認(rèn)可。
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儀器介紹
TH-3200智能電導(dǎo)鹽密測(cè)試儀，也稱為直讀式等值鹽密度測(cè)試儀，專為測(cè)試智能電導(dǎo)鹽密度而設(shè)計(jì)。系統(tǒng)內(nèi)置智能電導(dǎo)鹽密度計(jì)算公式，讀數(shù)直觀。人機(jī)交互采用真彩TFT液晶屏，操作簡(jiǎn)單，所有參數(shù)和結(jié)果一目了然。儀器自帶微型打印機(jī)，方便數(shù)據(jù)保存和對(duì)比。提供外部供電和內(nèi)置電池兩種供電方式，方便實(shí)驗(yàn)室和野外現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試。本儀器遵照*標(biāo)準(zhǔn)Q/GDW152—2006《高壓架空線路和變電站環(huán)境污區(qū)分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》的規(guī)定和要求，適用于高線架空線路、發(fā)電廠、變電所等場(chǎng)所的外絕緣設(shè)備鹽密度測(cè)試。
數(shù)字式超聲波探傷儀產(chǎn)品介紹依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)直讀式等值鹽密測(cè)試儀依據(jù)的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)如下表所示：
序號(hào)
標(biāo)準(zhǔn)名稱
1
Q/GDW152—2006《高壓架空線路和變電站環(huán)境污區(qū)分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
2
GB/T16434—200*《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分：定義、信息和一般原則》
3
GB/T4585-2004/IEC60507:1991《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢實(shí)驗(yàn)》
4
GB/T5582-93《高壓電力設(shè)備外絕緣污穢等級(jí)》
5
IEC60815-2004
術(shù)語(yǔ)解釋
污穢層: 由鹽和惰性材料組成的絕緣子表面上的導(dǎo)電電解層。
T等值鹽密度TT: TT指污穢液等效為相同電導(dǎo)氯化鈉溶液的溶質(zhì)密度，通常以kg/TT
表示。
附鹽密度（SDD) : 沉積在絕緣子一給定表面（金屬部分和膠合材料不計(jì)入此表面）上的鹽量除以該表面的面積；它通常以mg/cm2表示。
現(xiàn)場(chǎng)污穢度等級(jí): 將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS（ESDD/NSDD的*值）的分級(jí)。
灰密度（NSDD）: 絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物除以表面積，一般表示為mg/cm2。
絕緣子的爬電比距: 絕緣子的爬電距離L除以試驗(yàn)電壓與
的積；它通常以mm/kv來(lái)表示。